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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2015

29.08.2015

Influence of top contact noble metals on leakage current properties of epitaxial BaTiO3 film capacitors

verfasst von: Wei Zhang, Jun Ouyang, Limin Kang, Hongbo Cheng, Qian Yang, Fangren Hu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2015

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Abstract

Dielectric properties, ferroelectric hysteresis loops, and leakage current characteristics of an epitaxial BaTiO3 (BTO) film were investigated with La0.5Sr0.5CoO3 as bottom electrode and the different noble metal as top electrodes (Au, Ag and Pt, which were deposited on the same surface of a BTO film). The dielectric constants, dielectric loss, leakage currents and ferroelectric loops all exhibited the top-electrode-dependent behavior, which can be attributed to the different interface state. The JV characteristics were analyzed with various transportation mechanisms in detail. Regardless of the top electrode materials, the leakage current characteristics were described by a modified Schottky contact model for all BTO film capacitors. It was proved that large space charge densities were the main contribution to the slim hysteresis loops. The potential of these interface charge dominated BTO film heterostructures in the application of high energy density storage capacitors was also demonstrated.

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Metadaten
Titel
Influence of top contact noble metals on leakage current properties of epitaxial BaTiO3 film capacitors
verfasst von
Wei Zhang
Jun Ouyang
Limin Kang
Hongbo Cheng
Qian Yang
Fangren Hu
Publikationsdatum
29.08.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-3674-z

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