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01.08.2014 | Ausgabe 8/2014

Optical and Quantum Electronics 8/2014

Influence of trap filling and junction capacitance charging on photovoltage transients in HgCdTe-based infrared photodiode

Zeitschrift:
Optical and Quantum Electronics > Ausgabe 8/2014
Autoren:
Haoyang Cui, Yongpeng Xu, Wei Gao, Can Liu, Jialin Wang, Chaoqun Wang, Junjie Yang, Zhong Tang

Abstract

Open circuit transient photovoltage (TPV) decay measurements have been carried out on HgCdTe-based infrared photodiode at different bias-light power illumination. By employing a picosecond pulsed laser excitation with wavelength of \(4.5\,\upmu \hbox {m}\) on steady background illumination, the TPV decay varying behavior has been observed. The effect of junction capacitance and carrier traps on TPV decay can be decreased to the minimum saturation values by increasing the bias illumination level. The study indicates the TPV decay time constants are dominated by the discharging of junction capacitance, trap emission and photocarrier recombination. The minority carrier lifetime are affected by the carrier injection level.

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