5. Innovative Techniques for Fast Growth and Fabrication of High Purity GaN Single Crystals

Das Kapitel befasst sich mit der ammonothermalen Methode für das Wachstum von GaN-Einkristallen und betont das Potenzial der sauren ammonothermischen Methode zur Industrialisierung aufgrund ihres geringeren Druckbedarfs und ihrer besseren Korrosionsbeständigkeit. Es untersucht die entscheidenden Parameter, die das Kristallwachstum beeinflussen, wie Temperatur, Druck und Mineralisierungskonzentration, und führt fortschrittliche Techniken zur Verbesserung der Kristallwachstumsraten und -reinheit ein. Insbesondere die Verwendung von Ammoniumiodid als Mineralisierer und die Methode der Gasphasensynthese als Mineralisierer werden aufgrund ihres signifikanten Einflusses auf die Kristallwachstumsrate bzw. -reinheit hervorgehoben. Das Kapitel behandelt auch die Bedeutung von Saatgutkristallen und Methoden zur Vermeidung von Sauerstoffkontamination und macht es zu einer umfassenden Ressource für Fachleute, die an den neuesten Fortschritten in der GaN-Kristallwachstumstechnologie interessiert sind.