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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2020

01.08.2020 | FABRICATION, TREATMENT, AND TESTING OF MATERIALS AND STRUCTURES

Interaction of Fluorocarbon with Silicon Monoxide and Processes of SiC Nanowire Formation

verfasst von: E. V. Astrova, V. P. Ulin, A. V. Parfeneva, A. V. Nashchekin, V. N. Nevedomskiy, M. V. Baidakova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2020

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Abstract

A study of the processes of the thermal carbonization of silicon monoxide in the presence of nonstoichiometric carbon monofluoride demonstrated that raising the annealing temperature of mixtures of SiO and CFx powders in a quasi-closed volume to 1000°C and higher leads to the formation of whisker-like SiC nanocrystals. It is found that, in parallel with the known crystallization of SiC nanowires as a result of the interaction of SiO vapor with carbon monoxide, the previously undescribed interaction of CO with gas-phase silicon difluoride SiF2 takes part in their formation. At temperatures below 1200°C, this reaction is dominant and makes the most pronounced contribution to the yield of SiC nanowires.
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Metadaten
Titel
Interaction of Fluorocarbon with Silicon Monoxide and Processes of SiC Nanowire Formation
verfasst von
E. V. Astrova
V. P. Ulin
A. V. Parfeneva
A. V. Nashchekin
V. N. Nevedomskiy
M. V. Baidakova
Publikationsdatum
01.08.2020
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2020
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782620080059

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