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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in:

01.10.2017

Internal power loss in GaN-based lasers: mechanisms and remedies

verfasst von: Joachim Piprek

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 10/2017

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Abstract

GaN-based laser diodes transform only a relatively small fraction of the electrical input power into laser light. The inherently large series resistance of these devices causes significant self-heating that leads to the typical power roll-off at high current. We analyze recently reported measurements using advanced numerical laser simulation and investigate the physical mechanisms that limit the lasing power in continuous-wave operation. Contrary to common expectations, our analysis reveals a strong influence of Auger recombination since the self-heating leads to a rising quantum well carrier density above the lasing threshold. As possible remedy, we investigate the effect of a tunnel-junction contact and predict a significant enhancement of lasing power and efficiency.
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Literatur
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Metadaten
Titel
Internal power loss in GaN-based lasers: mechanisms and remedies
verfasst von
Joachim Piprek
Publikationsdatum
01.10.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 10/2017
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-017-1166-5

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