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2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Intrinsic Stress Build-Up During Volmer-Weber Crystal Growth

verfasst von : H. Ceric, A. Nentchev, E. Langer, S. Selberherr

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

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We present a model for build-up of intrinsic stress during the deposition of thin metal films. The model assumes a three-phase stress generation mechanism which corresponds to three characteristic phases of microstructure evolution. The simulation results based on the model are successfully compared with experimental results for Poly-SiGe PECVD films. The impact of critical parameter variation on mechanical properties of thin film is discussed.

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Metadaten
Titel
Intrinsic Stress Build-Up During Volmer-Weber Crystal Growth
verfasst von
H. Ceric
A. Nentchev
E. Langer
S. Selberherr
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_9