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Erschienen in:
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2016 | OriginalPaper | Buchkapitel

1. Introduction

verfasst von : Kwai Hei Li

Erschienen in: Nanostructuring for Nitride Light-Emitting Diodes and Optical Cavities

Verlag: Springer Berlin Heidelberg

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Abstract

Remarkable advancements in group III-nitride semiconductors have made possible direct-band gap emission throughout the ultraviolet to visible spectral bands, hence the emergence of an entirely new range of light emitters. As illustrated in Fig. 1.1, the possibility of alloying the III-nitrides to form ternary (AlxGa1-xN, InxGa1-xN, and InxAl1-xN) and quaternary (InxAlyGa1-x-yN) alloys makes them able to cover a wide spectral range from 1.9 eV (InN) to 6.2 eV (AlN).

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Literatur
1.
Akasaki I, Sota S, Sakai H, Tanaka T, Koike M, Amano H (1996) Shortest wavelength semiconductor laser diode. Electron. Lett 32(12):1105–1106. doi:10.​1049/​El:​19960743
2.
Nakamura S, Senoh M, Nagahama S, Iwasa N, Yamada T, Matsushita T, Kiyoku H, Sugimoto Y (1996) InGaN-based multi-quantum-well-structure laser diodes. Jpn J Appl Phys Part 2 35(1B):L74–L76. doi:10.​1143/​Jjap.​35.​L74
3.
Ponce FA, Bour DP (1997) NItride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices. Nature 386(6623):351–359. doi:10.​1038/​386351a0
Metadaten
Titel
Introduction
verfasst von
Kwai Hei Li
Copyright-Jahr
2016
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Buch
Nanostructuring for Nitride Light-Emitting Diodes and Optical Cavities

Print ISBN: 978-3-662-48607-8

Electronic ISBN: 978-3-662-48609-2

Copyright-Jahr: 2016

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-662-48609-2_1

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