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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Investigation of Current Conduction Mechanism in HfO2 Thin Film on Silicon Substrate

verfasst von : Anil G. Khairnar, Khushaboo S. Agrawal, Vilas S. Patil, Ashok M. Mahajan

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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In this work, we have investigated current conduction mechanisms in HfO

2

thin film deposited on silicon substrate by RF sputtering technique. The thin films of HfO

2

were deposited on p-type silicon substrates. FTIR measurement shows the presence of hafnium in the film. Among the various conduction mechanisms the 13.7 nm thin HfO

2

film on Si follows the Fowler–Nordheim (FN) tunneling. The Poole–Frenkel (PF) emission, Schottky emission (SE) and Direct Tunneling (DT) also studied. The barrier height (ϕ

B

) of 0.74 eV is calculated from experimental work through Fowler–Nordheim tunneling mechanism.

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Metadaten
Titel
Investigation of Current Conduction Mechanism in HfO2 Thin Film on Silicon Substrate
verfasst von
Anil G. Khairnar
Khushaboo S. Agrawal
Vilas S. Patil
Ashok M. Mahajan
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_7