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28.01.2019

Investigation of Effects of Diameter, Doping and Vacancy Defects on the Band Structure and Transport Properties of Silicon Nanowires for Potential Applications in Field-Effect Transistors

Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials
Autoren:
Muhammad Irfan, Abdul Sattar, Azmat Iqbal, Muhammad Fiaz Khan, Raja Junaid Amjad, Hasan Mahmood, Hamid Latif, Nosheen Akbar, Farah Alvi, Ishrat Sultana

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