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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2011

01.06.2011

Investigation of forming-gas annealed CeO2 thin film on GaN

verfasst von: Hock Jin Quah, Kuan Yew Cheong, Zainuriah Hassan, Zainovia Lockman

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 6/2011

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Abstract

The effects of post-deposition annealing temperatures (400, 600, 800, and 1,000°C) in forming gas (95% N2 + 5% H2) ambient on metal–organic decomposed cerium oxide (CeO2) thin films deposited on n-type GaN substrate had been investigated. The occurrence of CeO2 phase transformation was reported and presence of CeO2, α-Ce2O3, and β-Ga2O3 had been detected, depending on the annealing temperature. As the annealing temperature increased, grain size and microstrains of CeO2 films were, respectively, increased and reduced. Metal–oxide–semiconductor characteristics of the annealed samples were systematically investigated. The highest dielectric breakdown field was perceived by sample annealed at 400°C due to the reduction of semiconductor–oxide interface trap density and effective oxide charge.
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Metadaten
Titel
Investigation of forming-gas annealed CeO2 thin film on GaN
verfasst von
Hock Jin Quah
Kuan Yew Cheong
Zainuriah Hassan
Zainovia Lockman
Publikationsdatum
01.06.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 6/2011
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-010-0181-0

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