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Investigation of Pr7O12 thin-film-based Cu/Pr7O12/n-Si MIS Schottky barrier diodes for enhanced photosensitivity

  • 01.12.2025
Erschienen in:

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Abstract

Diese Studie befasst sich mit der Untersuchung von Pr7O12-Dünnschicht-basierten Cu / Pr7O12 / n-Si MIS-Schottky-Barrieredioden und konzentriert sich dabei auf ihre erhöhte Lichtempfindlichkeit. Die Forschung hebt die einzigartigen Eigenschaften von Pr7O12-Dünnschichten hervor, einschließlich ihrer Mischvalenzzustände, starken Lichtabsorptionsmuster und hoher dielektrischer Eigenschaften. Die Studie wendet die JNSP-Methode zur Dünnschichtabscheidung an und demonstriert ihre Wirksamkeit bei der Herstellung hochwertiger Folien mit kontrollierter Stöchiometrie und Uniformität. Zu den wichtigsten Ergebnissen zählen die Optimierung der molaren Konzentration des Pr7O12-Films zur Verbesserung des Kristallwachstums und das Erreichen einer signifikanten Barrierehöhe von 0,76 eV. Die Dioden weisen eine hervorragende Lichtempfindlichkeit von 220,72% auf, was ihr Potenzial für bio-optoelektronische Plattformen bestätigt. Die Studie kommt zu dem Schluss, dass Pr7O12 ein multifunktionales Grenzflächenmaterial ist und die JNSP-Methode eine kostengünstige, skalierbare und umgebungskompatible Abscheidungsmethode für leistungsstarke Photodetektoren und Biosensoren darstellt.

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Titel
Investigation of Pr7O12 thin-film-based Cu/Pr7O12/n-Si MIS Schottky barrier diodes for enhanced photosensitivity
Verfasst von
T. Akila
V. Balasubramani
D. Siva Priya
G. Alan Sibu
Khuloud A. Alibrahim
Muthumareeswaran Muthuramamoorthy
Publikationsdatum
01.12.2025
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 34/2025
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-025-16166-z
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