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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 4/2017

06.06.2016 | Technical Paper

Investigations of silicon wafer bonding utilizing sputtered Al and Sn films

verfasst von: Zhiyuan Zhu, Min Yu, Yufeng Jin

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 4/2017

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Abstract

Nowadays, wafer bonding is becoming a key enabling technology for three-dimensional (3D) packaging, micro-electro-mechanical systems (MEMS) encapsulation and heterogeneous integration. This paper develops and investigates entire Si wafer bonding based on thin Al and Sn films. 500 nm-thick Al and 500 nm-thick Sn films are sputtered onto silicon wafers. At bonding temperature of 280 °C, the average shear strength of 11 MPa is achieved at bonding time of 1 min. The dependence of shear strength and fracture surface morphology on bonding temperature and bonding time is illustrated. The physical mechanism is proposed. It indicates that high bonding strength can be achieved at appropriate low bonding temperature with proper short bonding time.
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Literatur
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Metadaten
Titel
Investigations of silicon wafer bonding utilizing sputtered Al and Sn films
verfasst von
Zhiyuan Zhu
Min Yu
Yufeng Jin
Publikationsdatum
06.06.2016
Verlag
Springer Berlin Heidelberg
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 4/2017
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-016-2982-4

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