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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 14/2017

27.03.2017

Ion implantation effects of negative oxygen on copper nanowires

verfasst von: Pallavi Rana, Chetna Narula, Anita Rani, R. P. Chauhan, Rashi Gupta, Rajesh Kumar

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 14/2017

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Abstract

Copper nanowires of diameter 80 nm were synthesized in polycarbonate membrane using template technique. Samples were then implanted with 160 keV O−1 ion beam with varying particle fluence of 1 × 1012, 5 × 1012 and 1 × 1013 ions/cm2. The SRIM (Stopping and range of ions in matter) software was used to study the processes involved. Compositional analysis confirms implantation of oxygen ions and the stoichiometry of Cu:O was found to be 6:1 by weight % when implanted at 1 × 1013 ions/cm2. Scanning electron microscopy reveals no changes in morphology of nanowires on implantation. X-ray diffraction analysis showed no shifting in the ‘2θ’ position of diffraction peaks however some new diffraction peaks of oxygen were seen. Implantation with oxygen ion led to the increased crystallite size and reduced strain. The conductivity of the nanowires was found to increase linearly with the ion fluence presenting constructive effect of negative ion implantation on copper nanowires.

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Metadaten
Titel
Ion implantation effects of negative oxygen on copper nanowires
verfasst von
Pallavi Rana
Chetna Narula
Anita Rani
R. P. Chauhan
Rashi Gupta
Rajesh Kumar
Publikationsdatum
27.03.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 14/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-6757-1

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