Larger displacement of silicon electrothermal V-shaped actuator using surface sputtering process

Diese Arbeit stellt eine Methode zur Anwendung des Oberflächensputterverfahrens vor, um die Verschiebung eines elektrothermischen V-förmigen Aktuators (EVA) zu verbessern, der mit der herkömmlichen SOI-MEMS-Technologie hergestellt wird. Nach dem Sputtern ist sowohl der gemessene Widerstand als auch der Widerstand des Silizium-EVA etwa 1,55-mal niedriger als das Nicht-Sputtern. Die Verschiebungen sowohl der Berechnung als auch der Simulation im Falle des Anwendens von Sputtern und Nicht-Sputtern wurden ebenfalls verglichen. Die Ergebnisse zeigten, dass die Verschiebung des V-förmigen Aktuators bei gleicher Antriebsspannung von 16 V (sowohl der Berechnung als auch der Simulation) zwei Mal größer ist als das Nicht-Sputtern. Die experimentellen Ergebnisse erklärten, dass die Antriebsspannung des Sputterprobekörpers bei gleicher Verschiebung um etwa 40 und 48,4% reduziert wird (entsprechend 8 und 22 µm) im Vergleich zum nicht-sputternden Gegenstück.