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Erschienen in:
Growth and Doping of Semiconductor Compounds: Kinetics of Incorporation Processes at Kink Sites Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2002 | OriginalPaper | Buchkapitel

Lateral Epitaxy of Gallium Arsenide by Chloride Vapor Transport

verfasst von : I. V. Ivonin, L. G. Lavrent’eva, L. P. Porokhovnichenko

Erschienen in: Growth of Crystals

Verlag: Springer US

Enthalten in: Professional Book Archive

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Lateral epitaxy of semiconducting materials has been developing for the last 15-20 years as a method of fabricating promising structures for micro-and optoelectronics [1, 2]. In particular, it has been used to fabricate permeable-base UHF transistors [4] and low-loss optical waveguides [4] and to reduce the cost of epitaxial layers for solar energy applications [5].

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Metadaten
Titel
Lateral Epitaxy of Gallium Arsenide by Chloride Vapor Transport
verfasst von
I. V. Ivonin
L. G. Lavrent’eva
L. P. Porokhovnichenko
Copyright-Jahr
2002
Verlag
Springer US
Buch
Growth of Crystals

Print ISBN: 978-1-4613-5121-4

Electronic ISBN: 978-1-4615-0537-2

Copyright-Jahr: 2002

DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-0537-2_3

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