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Erschienen in:
The Contribution of Dry Etching Technology to Progress in Semiconductor Integrated Circuits Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2015 | OriginalPaper | Buchkapitel

6. Latest Dry Etching Technologies

verfasst von : Kazuo Nojiri

Erschienen in: Dry Etching Technology for Semiconductors

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

This chapter reviews the latest etching technologies, including Cu damascene etching, low-κ etching, metal gate/high-κ etching, and FinFET etching. There are also discussions on the various methods of Cu damascene etching as well as the methods of preventing damage to low-κ films, which become a serious issue at the 32-nm node and beyond. Furthermore, the discussion includes a review of the double-patterning technology, which is the hot topic of the moment, and three-dimensional integrated circuit (3D IC) etching for the 16-nm node and beyond.

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Metadaten
Titel
Latest Dry Etching Technologies
verfasst von
Kazuo Nojiri
Copyright-Jahr
2015
Buch
Dry Etching Technology for Semiconductors

Print ISBN: 978-3-319-10294-8

Electronic ISBN: 978-3-319-10295-5

Copyright-Jahr: 2015

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-10295-5_6

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    Bildnachweise