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2023 | OriginalPaper | Buchkapitel

5. Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor

verfasst von : Peter Baumann

Erschienen in: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Dargestellt wird die Extraktion der SPICE-Modellparameter des Leistungs-MOS-Feldeffekttransistors IRF 150. Statische Parameter wie die Schwellspannung folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazitäten können mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.

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Literatur
1.
CADENCE: OrCADPSPICE Demo-Versionen 9.2 bis 16.5
2.
Baumann, P., Möller, W.: Schaltungssimulation mit Design Center, Fachbuchverlag Leipzig, (1994)
Metadaten
Titel
Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor
verfasst von
Peter Baumann
Copyright-Jahr
2023
Buch
Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Print ISBN: 978-3-658-40956-2

Electronic ISBN: 978-3-658-40957-9

Copyright-Jahr: 2023

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-40957-9_5