Zusammenfassung
Stichworte: Halbleiterdioden: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, TSE, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Dioden; Bipolartransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, SOAR, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Parallelschaltung von bipolaren Transistoren; Feldeffekttransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Zusammenschaltung von Feldeffekttransistoren; IGBT-Transistoren; Thyristoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Thyristoren, Löschen von Thyristoren, GTO-Thyristor, DIAC, TRIAC, Gatt-Thyristor, Foto-Thyristor.