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2016 | OriginalPaper | Buchkapitel

90. Leistungshalbleiter

verfasst von: Prof. Dr.-Ing. Wilfried Plaßmann

Erschienen in: Handbuch Elektrotechnik

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Stichworte: Halbleiterdioden: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, TSE, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Dioden; Bipolartransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, SOAR, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Parallelschaltung von bipolaren Transistoren; Feldeffekttransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Zusammenschaltung von Feldeffekttransistoren; IGBT-Transistoren; Thyristoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Thyristoren, Löschen von Thyristoren, GTO-Thyristor, DIAC, TRIAC, Gatt-Thyristor, Foto-Thyristor.
Metadaten
Titel
Leistungshalbleiter
verfasst von
Prof. Dr.-Ing. Wilfried Plaßmann
Copyright-Jahr
2016
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-07049-6_90