Erschienen in:
2016 | OriginalPaper | Buchkapitel
90. Leistungshalbleiter
verfasst von: Prof. Dr.-Ing. Wilfried Plaßmann
Erschienen in: Handbuch Elektrotechnik
Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden
Zusammenfassung
Stichworte: Halbleiterdioden: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, TSE, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Dioden; Bipolartransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, SOAR, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Parallelschaltung von bipolaren Transistoren; Feldeffekttransistoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Zusammenschaltung von Feldeffekttransistoren; IGBT-Transistoren; Thyristoren: Aufbau, statisches Verhalten, Kenngrößen, Grenzwerte, Dynamisches Verhalten, Schutzschaltungen, Zusammenschaltung von Thyristoren, Löschen von Thyristoren, GTO-Thyristor, DIAC, TRIAC, Gatt-Thyristor, Foto-Thyristor.
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