Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards MyNewsletter
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
Lackier- und Pulvertreff 2024

Nasslackieren und pulverbeschichten

Der Kongress am 15. / 16. Oktober 2024 in Heidelberg informiert umfassend über neue lack-, anlagen- und verfahrens­technische Entwicklungen und deren Umsetzung in die Praxis.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Erschienen in:
Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Line Edge and Gate Interface Roughness Simulations of Advanced VLSI SOI-MOSFETs

verfasst von : T. Herrmann, W. Klix, R. Stenzel, S. Duenkel, R. Illgen, J. Hoentschel, T. Feudel, M. Horstmann

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

The influence of line edge and gate interface roughness on SOI-MOSFET performance is studied by simulation. Both types of roughness were implemented in the device simulator SIMBA through the Fourier synthesis approach and the simulations were performed with the drift diffusion and the quantum drift diffusion models. Scaled transistors showed more sensitivity to rough interfaces with shallow junctions.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Vorheriges Kapitel ‘Atomistic’ Mesh Generation for the Simulation of Semiconductor Devices
Nächstes Kapitel Impact of Shear Strain and Quantum Confinement on <110> Channel nMOSFET with High-Stress CESL
Metadaten
Titel
Line Edge and Gate Interface Roughness Simulations of Advanced VLSI SOI-MOSFETs
verfasst von
T. Herrmann
W. Klix
R. Stenzel
S. Duenkel
R. Illgen
J. Hoentschel
T. Feudel
M. Horstmann
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_24