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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2018

01.05.2018 | XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, Russia, June 26–30, 2017. Nanostructure Technology

Site-Controlled Growth of GaN Nanorods with Inserted InGaN Quantum Wells on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates by Plasma-Assisted MBE

verfasst von: V. N. Jmerik, T. V. Shubina, D. V. Nechaev, A. N. Semenov, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseev, G. Posina, S. V. Ivanov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2018

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Metadaten
Titel
Site-Controlled Growth of GaN Nanorods with Inserted InGaN Quantum Wells on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates by Plasma-Assisted MBE
verfasst von
V. N. Jmerik
T. V. Shubina
D. V. Nechaev
A. N. Semenov
D. A. Kirilenko
V. Yu. Davydov
A. N. Smirnov
I. A. Eliseev
G. Posina
S. V. Ivanov
Publikationsdatum
01.05.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618050123

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