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Erschienen in:
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2019 | OriginalPaper | Buchkapitel

Comparison of E-mode GaN HEMT Using Different Gate Oxide Stack Approach

verfasst von : Edward Yi Chang, Chia-Hsun Wu, Yueh-Chin Lin, Ping-Cheng Han, Yu-Xiang Huang, Quang Ho Luc, Jian-You Chen, Yu-Hsuan Ho

Erschienen in: Applied Physics, System Science and Computers II

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

In this study, three different types of gate recessed E-mode GaN MIS-HEMTs were fabricated by different gate oxide stack techniques. The gate oxide stacks were designed with different oxide potential barrier, resulting in the device with different threshold voltages. Each device performance was evaluated, compared and discussed. The proposed device with charge trap gate stack showed the best device performance with high threshold voltage and high maximum drain current density in this work.

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Literatur
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Metadaten
Titel
Comparison of E-mode GaN HEMT Using Different Gate Oxide Stack Approach
verfasst von
Edward Yi Chang
Chia-Hsun Wu
Yueh-Chin Lin
Ping-Cheng Han
Yu-Xiang Huang
Quang Ho Luc
Jian-You Chen
Yu-Hsuan Ho
Copyright-Jahr
2019
Buch
Applied Physics, System Science and Computers II

Print ISBN: 978-3-319-75604-2

Electronic ISBN: 978-3-319-75605-9

Copyright-Jahr: 2019

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-75605-9_2

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    Bildnachweise