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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2007

01.10.2007

Optical studies on Mg x Zn1−x O wide band gap semiconductor in the perspective of phase equilibrium

verfasst von: R. Ghosh, D. Basak

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Sonderheft 1/2007

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Abstract

Mg x Zn1−x O (x = 0.0–0.20) ternary alloyed thin films have been deposited by sol-gel technique at 550 °C. The studies on the change in c-axis lattice parameter, PL spectra, optical absorption coefficient, and band gap values suggest that the solubility limit of MgO in Mg x Zn1−x O lies within the composition range 0.05 < x < 0.08. Optical studies on the annealed films confirm the formation of equilibrium solid solution up to x = 0.05 and the phase for the composition range 0.05 < x ≤ 0.20 to be in the non-equilibrium range.
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Metadaten
Titel
Optical studies on Mg x Zn1−x O wide band gap semiconductor in the perspective of phase equilibrium
verfasst von
R. Ghosh
D. Basak
Publikationsdatum
01.10.2007
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe Sonderheft 1/2007
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-007-9169-9

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