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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2011

01.10.2011

Failure localization with active and passive voltage contrast in FIB and SEM

verfasst von: Ruediger Rosenkranz

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2011

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Abstract

The common Passive Voltage Contrast localization method in Focused Ion Beams and Scanning Electron Microscopes can be used for failure localization issues. These methods became widely accepted in the semiconductor failure analysis community. Nearly all labs make use of it. The Active Voltage Contrast method works with additional external voltages applied inside the chamber to certain structures at the sample surface and offers even more localization possibilities. A comprehensive overview over all phenomena related to Voltage Contrast generation is given and the multiple advantages, possibilities and limits of VC failure localization are systemized and discussed.
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Metadaten
Titel
Failure localization with active and passive voltage contrast in FIB and SEM
verfasst von
Ruediger Rosenkranz
Publikationsdatum
01.10.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2011
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-011-0459-x

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