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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2013

01.01.2013

Optical and magnetic properties of copper doped ZnO nanorods prepared by hydrothermal method

verfasst von: Arun Aravind, M. K. Jayaraj, Mukesh Kumar, Ramesh Chandra

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2013

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Abstract

Surfactant free ZnO and Cu doped ZnO nanorods were synthesized by hydrothermal method. The formation of ZnO:Cu nanorods were confirmed by scanning electron microscopy, X-ray diffraction and Raman analysis. Diffuse reflectance spectroscopy results shows that band gap of ZnO nanorods shifts to red with increase of Cu content. The orange-red photoluminescent emission from ZnO nanorods originates from the oxygen vacancy or ZnO interstitial related defects. ZnO:Cu nanorods showed strong ferromagnetic behavior, however at higher doping percentage of Cu the ferromagnetic behavior was suppressed and paramagnetic nature was enhanced. The presence of non-polar E 2 high and E 2 low Raman modes in nanorods indicates that Cu doping didn’t change the wurtzite structure of ZnO.
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Literatur
1.
Y. Gyu-Chul, W. Chunrui, P. Won Il, Semicond. Sci. Technol. 20, S22 (2005)CrossRef
2.
Z. Qiuxiang, Y. Ke, B. Wei, W. Qingyan, X. Feng, Z. Ziqiang, D. Ning, S. Yan, Mater. Lett. 61, 3890 (2007)CrossRef
3.
L. Yuzhen, G. Lin, X. Huibin, D. Lu, Y. Chunlei, W. Jiannong, G. Weikun and Y. Shihe, W. Ziyu, J. Appl. Phys. 99, 114302 (2006)CrossRef
4.
A. Hachigo, H. Nakahata, K. Higaki, S. Fujii, S.I. Shikata, Appl. Phys. Lett. 65, 2556 (1994)CrossRef
5.
H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994)CrossRef
6.
7.
D.M. Bagnall, Y.F. Chen, M.Y. Shen, Z. Zhu, T. Goto, T. Yao, J. Cryst. Growth 184, 605 (1998)
8.
9.
10.
D.W. Bahnemann, C. Kormann, M.R. Hoffmann, J. Phys. Chem. 91, 3789 (1987)CrossRef
11.
Z. Hui, Y. Deren, M. Xiangyang, J. Yujie, X. Jin, Q. Duanlin, Nanotechnology 15, 622 (2004)CrossRef
12.
J. Zhang, L.D. Sun, J.L. Yin, H.L. Su, C.S. Liao, C.H. Yan, J. Mater. Sci. Lett. 14, 4172 (2002)
13.
W.J. Li, E.W. Shi, Y.Q. Zheng, Z.W. Yin, J. Mater. Sci. Lett. 20, 1381 (2001)CrossRef
14.
C.Y. Lee, T.Y. Tseng, S.Y. Li, P. Lin, J. Appl. Phys. 99, 024303 (2006)CrossRef
15.
G. Pei, C. Xia, S. Cao, J. Zhang, F. Wu, J. Xu, J. Magn. Magn. Mater. 302, 340 (2006)CrossRef
16.
R. Elilarassi, G. Chandrasekaran, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 21, 1168 (2010)CrossRef
17.
H. Yang, X. Xu, S. Wu, K. Wu, C. Ai, J. Miao, Y. Jiang, J. Mater. Sci. 47, 530 (2012)CrossRef
18.
19.
Z.X. Cheng, X.L. Wang, S.X. Dou, K. Ozawa, H. Kimura, P. Munroe, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 6518 (2007)CrossRef
20.
21.
M. Xiangyang, Z. Hui, J. Yujie, X. Jin, Y. Deren, Mater. Lett. 59, 3393 (2005)CrossRef
22.
A.I.Y. Tok, F.Y.C. Boey, S.W. Du, B.K. Wong, Mater. Sci. Eng. B 130, 114 (2006)CrossRef
23.
A. Yildiz, B. Yurduguzel, B. Kayhan, G. Calin, M. Dobromir, F. Iacomi, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 23, 425 (2012)CrossRef
24.
25.
R.B. Bylsma, W.M. Becker, J. Kossut, U. Debska, Phys. Rev. B 33, 8207 (1986)CrossRef
26.
L. Dai, X.L. Chen, W.J. Wang, T. Zhou, B.Q. Hu, J. Phys. Condens. Matter. 15, 2221 (2003)CrossRef
27.
H. Wang, H.B. Wang, F.J. Yang, Y. Chen, C. Zhang, C.P. Yang, Q. Li, S.P. Wong, Nanotechnology 17, 4312 (2006)CrossRef
28.
M.H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 292, 1897 (2001)CrossRef
29.
X.Q. Meng, D.Z. Shen, J.Y. Zhang, D.X. Zhao, Y.M. Lu, L. Dong, Z.Z. Zhang, Y.C. Liu, X.W. Fan, Solid State Commun. 135, 179 (2005)CrossRef
30.
31.
L.E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J.C. Johnson, Y. Zhang, R.J. Saykally, P. Yang, Angew. Chem. 115, 3030 (2003)CrossRef
32.
D. Li, Y.H. Leung, A.B. Djurisic, Z.T. Liu, M.H. Xie, S.L. Shi, S.J. Xu, W.K. Chan, Appl. Phys. Lett. 85, 1601 (2004)CrossRef
33.
M.H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, P. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001)CrossRef
34.
N.Y. Garces, L. Wang, L. Bai, N.C. Giles, L.E. Halliburton, G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 622 (2002)CrossRef
35.
H.J. Fan, R. Scholz, F.M. Kolb, M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 85, 4142 (2004)CrossRef
36.
H.J. Fan, R. Scholz, F.M. Kolb, M. Zacharias, U. Gcsele, F. Heyroth, C. Eisenschmidt, T. Hempel, J. Christen, Appl. Phys. A 79, 1895 (2004)CrossRef
37.
38.
Y.F. Mei, G.G. Siu, R.K.Y. Fu, K.W. Wong, P.K. Chu, C.W. Lai, H.C. Ong, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 237, 307 (2005)CrossRef
39.
40.
Z. Wang, H. Zhang, L. Zhang, J. Yang, S. Yan, C. Wang, Nanotechnology 14, 11 (2003)CrossRef
41.
M. Koyano, P. Quoc Bao, L.T. ThanhBinh, H.L. Hong, N. Ngoc Long, S.I. Katayama, Phys. Status Solid. A 193, 125 (2002)CrossRef
42.
M.S. Arnold, P. Avouris, Z.W. Pan, Z.L. Wang, J. Phys. Chem. B 107, 6599 (2003)CrossRef
43.
44.
A. Chartier, P.D. Arco, R. Dovesi, V.R. Saunders, Phys. Rev. B 60, 14042 (1999)CrossRef
45.
S. Koshihara, A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, C. Urano, H. Takagi, H. Munekata, Phys. Rev. Lett. 78, 4617 (1997)CrossRef
46.
H.L. Liu, J.H. Yang, Z. Hua, Y.J. Zhang, Y. Liu, J. Cao, L.H. Fei, X. Cheng, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 23, 832 (2012)CrossRef
Metadaten
Titel
Optical and magnetic properties of copper doped ZnO nanorods prepared by hydrothermal method
verfasst von
Arun Aravind
M. K. Jayaraj
Mukesh Kumar
Ramesh Chandra
Publikationsdatum
01.01.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-012-0911-6

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