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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2014

01.05.2014

Effect of doping Al on the liquid oxidation of Sn–Bi–Zn solder

verfasst von: X. J. Wang, Q. S. Zhu, B. Liu, N. Liu, F. J. Wang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 5/2014

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Abstract

The liquid oxidation behaviors of Sn–40Bi–2Zn and Sn–40Bi–2Zn–0.005Al solders were investigated from thermal dynamics and kinetics analysis. The characteristics of surface oxidation film at 170 °C were studied by thermo gravimetric analysis and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Sn–40Bi–2Zn solder performed inferiorly in oxidation prevention performance, due to the formation of ZnO, which exhibits lower Gibbs free energy of formation and higher growth rate. Trace amount of Al addition, however, alleviated the oxidation behavior of Zn. XPS depth profile results indicated that the surface layer of Sn–40Bi–2Zn–0.005Al consisted of oxides of Al and Zn formed on the outer surface of the solder film and in the subsequent layer, mainly formed by the oxides of Sn, Bi. Al, basically formed as Al2O3, segregated towards the outer surface, seemed to deter the Zn oxidation on the solder surface.
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Literatur
1.
X.C. Tong, in Thermal Interface Materials in Electronic Packaging, ed. by K. Itoh, T. Lee, T. Sakurai, W. M. C. Sansen, D. Schimitt-Landsiedel. Advanced Materials for Thermal Management of Electronic Packaging, (Springer, New York, 2011), pp. 305–370
2.
L. Zang, Z. Yuan, Y. Zhu, B. Xu, H. Matsuura, F. Tsukihashi, Colloids Surf. A 44, 57–65 (2012)
3.
G.F. Ma, H.L. Zhang, H.F. Zhang, H. Li, Z.Q. Hu, Mater. Lett. 62, 1853–1855 (2008)CrossRef
4.
T.Y. Kang, Y.Y. Xiu, L. Hui, J.J. Wang, W.P. Tong, C.Z. Liu, J. Mater. Sci. Technol. 27, 741–745 (2011)CrossRef
5.
Y.I. Dutchak, V.P. Osipenko, P.V. Panasyuk, Sov. Phys. J. 11, 145–147 (1968)CrossRef
6.
7.
S.K. Lin, T.L. Nguyen, S.C. Wu, Y.H. Wan, J. Alloys Compd. 586, 319–327 (2014)CrossRef
8.
9.
S. Chen, L. Zhang, J. Liu, Y. Gao, Q. Zhai, Mater. Trans. 51, 1720–1726 (2010)CrossRef
10.
11.
12.
C. Yu, Y. Yang, K. Wang, J. Xu, J. Chen, H. Lu, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 23, 124–129 (2012)
13.
14.
Q.S. Zhu, H.Y. Song, in Proceedings of the 9th ICEPT-HDP, Beijing, 2009, pp. 1043–1046
15.
D. Cavasin, in Proceedings of the 56th ECTC, San Diego, CA, 2006, pp. 1060–1063
16.
17.
H. Wang, A. Hu, C. Chang, M. Li, D. Mao, in Proceedings of the 8th ICEPT, Shanghai, no. 4441468, 2007, pp. 1–4
18.
S.W. Cho, K. Han, Y. Yi, S.J. Kang, K.H. Yoo, K. Jeong, C.N. Whang, Adv. Eng. Mater. 8, 111–114 (2006)CrossRef
19.
T.C. Chang, J.W. Wang, M.C. Wang, M.H. Hon, J. Alloys Compd. 422, 239–243 (2006)CrossRef
20.
21.
M.L. Huang, N. Kang, Q. Zhou, Y.Z. Huang, J. Mater. Sci. Technol. 28, 844–852 (2012)CrossRef
22.
M. Kitajima, T. Shono, FUJITSU Sci. Tech. J. 41, 225–235 (2005)
23.
J.M. Song, Y.M. Cheng, C.H. Tsai, Corros. Sci. 52, 4011–4016 (2010)CrossRef
24.
25.
X. Zhang, S. Russo, A. Miotello, L. Guzman, E. Cattaruza, P.L. Bouora, L. Benedetti, Surf. Coat. Technol. 141, 187–193 (2001)CrossRef
26.
J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben, in Chastain Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, ed. by J. Chastain (Perkin-Elmer Corporation, Minnesota, 1992)
27.
S. Cho, J. Yu, S.K. Kang, D.Y. Shih, J. Electron. Mater. 34, 635–642 (2005)CrossRef
28.
J.F. Kuhmann, K. Maly, A. Preu, B. Adolphi, K. Drescher, T. Wirth, W. Oesterle, M. Fanciulli, G. Weyer, J. Electrochem. Soc. 145, 2138–2142 (1998)CrossRef
29.
30.
31.
I. Barin, Thermochemical Data of Pure Substances, Part I (VCH Verlags Gesellschaft, Weinheim, 1993)
32.
V.P. Glushko, Thermocenter of the Russian Academy of Sciences, vol. 13 (IVTAN Association, Moscow, 1994), p. 127412
33.
W. Martienssen, in Landolt-BÓrnstein: Thermodynamic Properties of Inorganic Material, Scientific Group Thermodata Europe (SGTE), vol. 19A1 (Springer, Berlin, 1999)
34.
L.V. Gurvich, I.V. Veytz, C.B. Alock, Thermodynamic Properties of Individual Substances, vol. 1, 4th edn. (Hemisphere, New York, 1989)
35.
M.W. Chase, NIST-JANAF thermochemical tables. J. Phys. Chem. Ref. data, mononograph, no. 9 (1998)
Metadaten
Titel
Effect of doping Al on the liquid oxidation of Sn–Bi–Zn solder
verfasst von
X. J. Wang
Q. S. Zhu
B. Liu
N. Liu
F. J. Wang
Publikationsdatum
01.05.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5/2014
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-1875-5

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