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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2016

22.12.2015

Crystalline structure and dielectric properties of multiferroic Cr-doped YMnO3

verfasst von: Feng Wan, Xin Lin, Xiaojun Bai, Xuemei Han, Kaikai Song, Jianbang Zheng, Chongde Cao

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/2016

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Abstract

YMn0.9Cr0.1O3 polycrystalline material was synthesized by conventional solid-state reaction method. The crystalline structure and dielectric properties of YMn0.9Cr0.1O3 were investigated. YMn0.9Cr0.1O3 ceramic is proved to be a hexagonal structure with P6 3 cm space group by the X-ray diffraction. The temperature dependence of dielectric constant and loss curves indicate YMnO3 and YMn0.9Cr0.1O3 samples exhibit an obvious dielectric relaxation behavior at low temperature range. The frequency dependence of dielectric loss peak follows an Arrhenius law. The XPS analysis suggest that the increase in valence compensation and the decrease in oxide vacancy compensation cause lower dielectric constant in the Cr doped YMn0.9Cr0.1O3 sample.
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Metadaten
Titel
Crystalline structure and dielectric properties of multiferroic Cr-doped YMnO3
verfasst von
Feng Wan
Xin Lin
Xiaojun Bai
Xuemei Han
Kaikai Song
Jianbang Zheng
Chongde Cao
Publikationsdatum
22.12.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-4133-6

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