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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2022

23.10.2021

Facile microwave synthesis of Sn-doped WO3 for pseudocapacitor applications

verfasst von: N. Dharmalingam, S. Rajagopal, Pandiyarasan Veluswamy, S. Paulraj, V. Kathirvel

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2022

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Abstract

In the present work, we have successfully synthesized pure tungsten oxide (WO3) and Sn (3 and 5 wt%)-doped WO3 nanoparticles using facile microwave irradiation method and studied about the electrochemical performances for supercapacitor electrode material. Structural and morphological studies of the prepared nanomaterials were investigated systematically. The powder XRD analysis reveals that pure WO3 and Sn-doped WO3 have monoclinic crystal structure and also crystallite size of the material decreases from 38 to 30 nm with increasing dopant concentration. Micro-Raman analysis confirms the formation of monoclinic phase with υ(O–W–O) stretching and δ(O–W–O) bending mode of vibration. SEM and micrographs show the elongation of the plate-like nanostructure of WO3 for the doping of Sn. High-resolution transmission electron microscope images depict the morphological change and increased porosity in doped samples. The supercapacitive performance and the electrochemical conductivity of the samples were analysed using cyclic voltammetry, chronopotentiometry and electrochemical impedance spectroscopy measurements. The results demonstrate that the 5 wt% Sn-doped WO3 electrode has the enhanced electrochemical performance in 1 M KOH with a maximum specific capacitance of 418 F g−1 at low current density of 1 A g−1. Also, it shows the increase in energy density from 4.88 to 11.77 Wh kg−1 with respect to the Sn concentration at the power density of 225 W kg−1.

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Literatur
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Zurück zum Zitat P. Scherrer, Nachr. Ges. Wiss. 26, 98 (1918) P. Scherrer, Nachr. Ges. Wiss. 26, 98 (1918)
Metadaten
Titel
Facile microwave synthesis of Sn-doped WO3 for pseudocapacitor applications
verfasst von
N. Dharmalingam
S. Rajagopal
Pandiyarasan Veluswamy
S. Paulraj
V. Kathirvel
Publikationsdatum
23.10.2021
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2022
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-021-07249-8

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