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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 4/2007

01.04.2007

Effect of Proton Irradiation on Interface State Density in Sc2O3/GaN and Sc2O3/MgO/GaN Diodes

verfasst von: K.K. Allums, M. Hlad, A.P. Gerger, B.P. Gila, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, R. Dwivedi, T.N. Fogarty, R. Wilkins

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 4/2007

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Metadaten
Titel
Effect of Proton Irradiation on Interface State Density in Sc2O3/GaN and Sc2O3/MgO/GaN Diodes
verfasst von
K.K. Allums
M. Hlad
A.P. Gerger
B.P. Gila
C.R. Abernathy
S.J. Pearton
F. Ren
R. Dwivedi
T.N. Fogarty
R. Wilkins
Publikationsdatum
01.04.2007
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 4/2007
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-006-0035-y

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