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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 7/2010

01.07.2010

Accurate Simulation of Temperature-Dependent Dark Current in HgCdTe Infrared Detectors Assisted by Analytical Modeling

verfasst von: Weida Hu, Xiaoshuang Chen, Zhenhua Ye, Jing Zhang, Fei Yin, Chun Lin, Zhifeng Li, Wei Lu

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 7/2010

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Metadaten
Titel
Accurate Simulation of Temperature-Dependent Dark Current in HgCdTe Infrared Detectors Assisted by Analytical Modeling
verfasst von
Weida Hu
Xiaoshuang Chen
Zhenhua Ye
Jing Zhang
Fei Yin
Chun Lin
Zhifeng Li
Wei Lu
Publikationsdatum
01.07.2010
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 7/2010
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-010-1121-8

Weitere Artikel der Ausgabe 7/2010

Journal of Electronic Materials 7/2010 Zur Ausgabe

EditorialNotes

Foreword

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Photoluminescence Studies of HgCdTe Epilayers

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Shockley–Haynes Characterization of Minority-Carrier Drift Velocity, Diffusion Coefficient, and Lifetime in HgCdTe Avalanche Photodiodes

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Molecular Beam Epitaxially Grown HgTe and HgCdTe-on-Silicon for Space-Based X-Ray Calorimetry Applications

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Simulations of Dislocations in CdZnTe/SL/Si Substrates

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Microstructural Characterization of CdTe Surface Passivation Layers

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