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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 1/2011

01.01.2011

Electrical Activation Studies of Silicon-Implanted Al x Ga1−x N with Aluminum Mole Fraction of 11% to 51%

verfasst von: E. A. Moore, Y. K. Yeo, Mee-Yi Ryu, R. L. Hengehold

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 1/2011

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Metadaten
Titel
Electrical Activation Studies of Silicon-Implanted Al x Ga1−x N with Aluminum Mole Fraction of 11% to 51%
verfasst von
E. A. Moore
Y. K. Yeo
Mee-Yi Ryu
R. L. Hengehold
Publikationsdatum
01.01.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 1/2011
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-010-1394-y

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