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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2007

01.11.2007 | Low-Dimensional Systems

Effect of growth temperature on photoluminescence of self-assembled Ge(Si) islands confined between strained Si layers

verfasst von: M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiĭ, O. A. Kuznetsov, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasil’nik

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2007

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Metadaten
Titel
Effect of growth temperature on photoluminescence of self-assembled Ge(Si) islands confined between strained Si layers
verfasst von
M. V. Shaleev
A. V. Novikov
A. N. Yablonskiĭ
O. A. Kuznetsov
Yu. N. Drozdov
D. N. Lobanov
Z. F. Krasil’nik
Publikationsdatum
01.11.2007
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2007
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782607110152

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