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Erschienen in: Semiconductors 4/2009

01.04.2009 | Physics of Semiconductor Devices

High-voltage (1800 V) planar 4H-SiC p-n junctions with floating guard rings

verfasst von: P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, N. D. Il’inskaya, T. P. Samsonova, A. S. Potapov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 4/2009

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Metadaten
Titel
High-voltage (1800 V) planar 4H-SiC p-n junctions with floating guard rings
verfasst von
P. A. Ivanov
I. V. Grekhov
N. D. Il’inskaya
T. P. Samsonova
A. S. Potapov
Publikationsdatum
01.04.2009
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 4/2009
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782609040186

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