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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2015

01.11.2015 | XIX Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 10–14, 2015

Impact of growth and annealing conditions on the parameters of Ge/Si(001) relaxed layers grown by molecular beam epitaxy

verfasst von: D. V. Yurasov, A. I. Bobrov, V. M. Daniltsev, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2015

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Metadaten
Titel
Impact of growth and annealing conditions on the parameters of Ge/Si(001) relaxed layers grown by molecular beam epitaxy
verfasst von
D. V. Yurasov
A. I. Bobrov
V. M. Daniltsev
A. V. Novikov
D. A. Pavlov
E. V. Skorokhodov
M. V. Shaleev
P. A. Yunin
Publikationsdatum
01.11.2015
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615110263

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