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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 12/2016

01.12.2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation

verfasst von: A. S. Puzanov, S. V. Obolenskiy, V. A. Kozlov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2016

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Metadaten
Titel
Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation
verfasst von
A. S. Puzanov
S. V. Obolenskiy
V. A. Kozlov
Publikationsdatum
01.12.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616120162

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