Skip to main content
Erschienen in: Semiconductors 6/2017

01.06.2017 | Physics of Semiconductor Devices

n-ZnO/p-CuI barrier heterostructure based on zinc-oxide nanoarrays formed by pulsed electrodeposition and SILAR copper-iodide films

verfasst von: N. P. Klochko, V. P. Kopach, G. S. Khrypunov, V. E. Korsun, N. D. Volkova, V. N. Lyubov, M. V. Kirichenko, A. V. Kopach, D. O. Zhadan, A. N. Otchenashko

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2017

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadaten
Titel
n-ZnO/p-CuI barrier heterostructure based on zinc-oxide nanoarrays formed by pulsed electrodeposition and SILAR copper-iodide films
verfasst von
N. P. Klochko
V. P. Kopach
G. S. Khrypunov
V. E. Korsun
N. D. Volkova
V. N. Lyubov
M. V. Kirichenko
A. V. Kopach
D. O. Zhadan
A. N. Otchenashko
Publikationsdatum
01.06.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261706015X

Weitere Artikel der Ausgabe 6/2017

Semiconductors 6/2017 Zur Ausgabe

XV International Conference “Thermoelectrics and Their Applications—2016”, St. Petersburg, November 15–16, 2016

On the morphology of the interlayer surface and micro-Raman spectra of layered films in topological insulators based on bismuth telluride

XV International Conference “Thermoelectrics and Their Applications—2016”, St. Petersburg, November 15–16, 2016

Synthesis and electrical properties of Bi2Te3-based thermoelectric materials doped with Er, Tm, Yb, and Lu

Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors

Ab initio study of the electronic and vibrational structures of tetragonal cadmium diarsenide

XV International Conference “Thermoelectrics and Their Applications—2016”, St. Petersburg, November 15–16, 2016

Simulation of the field-activated sintering of thermoelectric materials