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2016 | OriginalPaper | Buchkapitel

7. LNA Design for Variability

verfasst von : Jiann-Shiun Yuan

Erschienen in: CMOS RF Circuit Design for Reliability and Variability

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

This chapter discusses the low-noise amplifier process variation effect. Extensive analytical equations are derived. The adaptive substrate bias technique to reduce the process variation effect on the low-noise amplifier is presented.

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Literatur
1.
Chang L, Choi Y-K, Ha D, Ranade P, Xiong S, Bokor J, Hu C, King T-J (2003) Extremely scaled silicon nano-CMOS devices. Proc IEEE 91:1860–1873
2.
Liu Y, Yuan JS (2011) CMOS RF low-noise amplifier design for variability and reliability. IEEE Trans Device Mater Reliab 11:450–457
3.
Lee TH (1998) The design of CMOS radio-frequency integrated circuits. Cambridge University Press, Cambridge
4.
van der Ziel A (1962) Thermal noise in field effect transistors. Proc IEEE 50:1801–12
5.
van der Ziel A (1986) Noise in solid state devices and circuits. Wiley, New York
6.
7.
Metadaten
Titel
LNA Design for Variability
verfasst von
Jiann-Shiun Yuan
Copyright-Jahr
2016
Verlag
Springer Singapore
Buch
CMOS RF Circuit Design for Reliability and Variability

Print ISBN: 978-981-10-0882-5

Electronic ISBN: 978-981-10-0884-9

Copyright-Jahr: 2016

DOI
https://doi.org/10.1007/978-981-10-0884-9_7

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    Bildnachweise