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Erschienen in: Semiconductors 10/2019

01.10.2019 | XXIII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 11–14, 2019

Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics

verfasst von: D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorohodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskiy

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2019

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Abstract

The results on the formation of locally strained Ge microstructures on silicon-on-insulator (SOI) substrates and investigation of their optical properties are presented. Suspended Ge structures are formed by optical lithography and plasmachemical and selective chemical etching using the “stress concentration” approach. To provide a heat sink from Ge microstructures, their formation scheme is modified so as to provide the mechanical contact of a part of the suspended microstructure with lower-lying layers. To implement this scheme, SOI substrates with a thin upper Si layer 100 nm in thickness are used. It is shown using the measurements of Raman spectra depending on the pumping power that local heating in such structures decreases. Measurements of the microphotoluminescence spectra show a considerable increase in the signal intensity from strained regions of Ge microstructures as well as the possibility of increasing the maximal optical pumping power (not leading to irreversible changes) for microstructures, in which the mechanical contact of the strained part with lower-lying layers is provided, when compared with suspended structures.

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Literatur
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Metadaten
Titel
Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics
verfasst von
D. V. Yurasov
N. A. Baidakova
V. A. Verbus
N. S. Gusev
A. I. Mashin
E. E. Morozova
A. V. Nezhdanov
A. V. Novikov
E. V. Skorohodov
D. V. Shengurov
A. N. Yablonskiy
Publikationsdatum
01.10.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619100257

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