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01.02.2020 | PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES | Ausgabe 2/2020

Semiconductors 2/2020

Long-Wavelength LEDs in the Atmospheric Transparency Window of 4.6–5.3 μm

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 2/2020
Autoren:
V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev
Wichtige Hinweise
Translated by V. Bukhanov

Abstract

The design and technology for the fabrication of an asymmetric stepped InAs/InAs1 –ySby/InAsSbP heterostructure with an ultimate InSb content (up to y = 0.17) in the narrow-gap active region by vapor-phase epitaxy from metal-organic compounds are developed. The electroluminescence characteristics of long-wavelength LEDs based on the proposed heterostructure, which emits in the spectral range of 4.6–5.3 μm, are studied. A linear decrease in the quantum efficiency of the electroluminescence with increasing InSb content in the active layer of the LEDs obtained is revealed. The advantage of using the asymmetric heterostructure for fabricating LEDs with a working wavelength of more than 4.5 μm is shown.

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