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01.09.2018 | AMORPHOUS, VITREOUS, AND ORGANIC SEMICONDUCTORS | Ausgabe 9/2018

Semiconductors 9/2018

Low-Frequency Dielectric Relaxation in Iron-Doped Ge28.5Pb15S56.5 Glassy System

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 9/2018
Autoren:
R. A. Castro, G. I. Grabko, A. A. Kononov
Wichtige Hinweise
Translated by Yu. Sin’kov

Abstract

The dielectric relaxation processes in Ge28.5Pb15S56.5 glassy system are investigated. The introduction of an iron impurity into a glass matrix is shown to sharply increase the permittivity ε' and decrease the dissipation factor tanδ. The found regularities are explained within the cluster structure (two-phase) model of doped glass.

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