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Science China Technological Sciences
Erschienen in: Science China Technological Sciences 11/2015

13.10.2015 | Article

Low power and high write speed SEU tolerant SRAM data cell design

verfasst von: Li Wang, GuoHe Zhang, YunLin Zeng, ZhiBiao Shao

Erschienen in: Science China Technological Sciences | Ausgabe 11/2015

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Metadaten
Titel
Low power and high write speed SEU tolerant SRAM data cell design
verfasst von
Li Wang
GuoHe Zhang
YunLin Zeng
ZhiBiao Shao
Publikationsdatum
13.10.2015
Verlag
Science China Press
Erschienen in
Science China Technological Sciences / Ausgabe 11/2015
Print ISSN: 1674-7321
Elektronische ISSN: 1869-1900
DOI
https://doi.org/10.1007/s11431-015-5929-6

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