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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2017

01.11.2017 | XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017

Low-temperature deposition of SiN x Films in SiH4/Ar + N2 inductively coupled plasma under high silane dilution with argon

verfasst von: A. I. Okhapkin, S. A. Korolyov, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2017

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Metadaten
Titel
Low-temperature deposition of SiN x Films in SiH4/Ar + N2 inductively coupled plasma under high silane dilution with argon
verfasst von
A. I. Okhapkin
S. A. Korolyov
P. A. Yunin
M. N. Drozdov
S. A. Kraev
O. I. Khrykin
V. I. Shashkin
Publikationsdatum
01.11.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617110215

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