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01.03.2015 | Ausgabe 3/2015

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2015

Low temperature sintering and microwave dielectric properties of LiMgVO4 ceramics

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 3/2015
Autoren:
Guo-Guang Yao, Xu-Sheng Hu, Xiu-Lao Tian, Peng Liu, Jian-Gang Xu

Abstract

LiMgVO4 ceramics were prepared by the conventional solid-state reaction method. Their structure and microwave dielectric properties have been investigated in relation to sintering condition. The XRD patterns of sintered samples revealed the single-phase formation with orthorhombic structure. As sintering temperature/time increased, the bulk density, ɛr and Q × f values increased to maximum and then decreased, respectively, while τf value did not change remarkably. The LiMgVO4 ceramics sintered at 700 °C for 4 h showed optimized microstructure and microwave dielectric properties of ɛr = 8.86, Q × f = 23,300 GHz (at 10.2 GHz) and τf = −140 ppm/°C, and it did not react with Ag electrode, which make it a promising candidate for LTCC applications.

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