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12.02.2020 | Ausgabe 6/2020

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2020

MBE growth of InAs/GaAs quantum dots on sintered porous silicon substrates with high optical quality in the 1.3 μm band

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 6/2020
Autoren:
Mansour Aouassa, Giorgia Franzò, Elie Assaf, Larbi Sfaxi, Ridha M’Ghaieth, Hassen Maaref
Wichtige Hinweise

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

We report self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) monolithically grown on a compliant transferable silicon nanomembrane. The transferable silicon nanomembrane with flat continuous crystalline silicon layer formed via in situ porous silicon sintering is considered a low-cost seed for heteroepitaxy of free-standing single-crystalline foils for photovoltaic cells. In this paper, the compliant feature of transferable silicon nanomembrane has been exploited for direct growth of high-quality InAs/GaAs (QDs) by molecular beam epitaxy. Bright 1.3 µm room temperature photoluminescence from InAs/GaAs QDs has been obtained. The excellent structural and optical qualities of the obtained InAs/GaAs quantum dots offer great opportunities for realizing a low-cost and large-scale integration of III–V-based optoelectronic device on silicon.

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