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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2016

18.02.2016

Mechanical and electrical switching of local ferroelectric domains of K0.5Bi4.5Ti4O15 film

verfasst von: Hongyang Zhao, Kang Cai, Zhenxiang Cheng, Zhibin Ma, Hideo Kimura, Tingting Jia

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 6/2016

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Abstract

Ferroelectric/Piezoelectric K0.5Bi4.5Ti4O15 (KBT) film was fabricated by pulsed laser deposition method and confirmed by ferroelectric, dielectric measurements and local butterfly-type piezoresponse hysteresis loops. Importantly, ferroelectric domain switching by both electrical field and mechanical force in KBT film was demonstrated. The dark and bright contrast represents the PFM response of the up and down polarized domains, which can be written by a dc bias of ±12 V or a mechanical force of 40–50 nN. The successful demonstration of mechanical force switching of ferroelectric domain in KBT film other than electric field provides a novel mean for information storage and sensors.
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Metadaten
Titel
Mechanical and electrical switching of local ferroelectric domains of K0.5Bi4.5Ti4O15 film
verfasst von
Hongyang Zhao
Kang Cai
Zhenxiang Cheng
Zhibin Ma
Hideo Kimura
Tingting Jia
Publikationsdatum
18.02.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 6/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-4467-8

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