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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 6/2016

29.02.2016

Mechanisms of Focused Ion Beam Implantation Damage and Recovery in Si

verfasst von: G. P. S. Balasubramanian, R. Hull

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 6/2016

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Metadaten
Titel
Mechanisms of Focused Ion Beam Implantation Damage and Recovery in Si
verfasst von
G. P. S. Balasubramanian
R. Hull
Publikationsdatum
29.02.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 6/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4393-9

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