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2022 | OriginalPaper | Buchkapitel

12. Metal-Oxide-Semiconductor- und Bipolarprozesse

verfasst von : Ha Duong Ngo

Erschienen in: Technologien der Mikrosysteme

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Die Metal-Oxide-Semiconductor(MOS)-Technologie ist die dominierte Technologie der heutigen Halbleiterindustrie. Herausragende Merkmale dieser Technologie sind hohe Packungsdichte, geringe Verlustleistung und niedrige Prozesskomplexität. Sie umfasst Einkanaltechnologien (NMOS und PMOS) und die CMOS-Technologie. Die Einkanaltechnologien können in Aluminium-Gate-Technologie und Polysilizium-Gate-Technologie unterschieden werden. Die Aluminium-Gate-Technologie zeichnet sich insbesondere durch ihren einfachen Prozessablauf aus, während die Polysilizium-Gate-Technologie den entscheidenden Vorteil einer Selbstjustierung der Gate-Elektrode zu den Source-/Drain-Gebieten bietet.

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Fußnoten
1
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Metadaten
Titel
Metal-Oxide-Semiconductor- und Bipolarprozesse
verfasst von
Ha Duong Ngo
Copyright-Jahr
2022
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-37498-3_12