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01.06.2015 | Ausgabe 6/2015

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2015

Microstructural and band gap exploration on Ni-doped SnO2 nanoparticles co-doped with Cu

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 6/2015
Autoren:
S. Nilavazhagan, S. Muthukumaran, M. Ashokkumar

Abstract

Sn0.97−xNi0.03CuxO2 (x = 0, 0.01, 0.02) nanoparticles have been successfully synthesized by employing a simple co-precipitation method. Tetragonal rutile structure of the samples was confirmed by X-ray diffraction technique. The change in crystallite size and optical properties such as absorption, transmittance and band gap were discussed based on Cu concentration and density of defect states. Morphologies and composition of products were characterized by scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy, respectively. Lower optical absorption and higher transmittance of Sn0.96Ni0.03Cu0.01O2 nanoparticles described that it is one of the suitable materials for opto-electronic device applications. The shift of band position towards lower wave number side and the decrease in the intensity of Fourier transform infrared spectra peaks confirmed the presence of Cu in Sn–Ni–O lattice.

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