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01.09.2014 | Ausgabe 9/2014

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2014

Microstructures and electrical properties of copper oxide doped terbium oxide ceramics

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 9/2014
Autoren:
Yingjie Gan, Yu Wang, Xiang Dong, Liang Dong

Abstract

The effects of copper oxide (CuO) on the microstructure and electric properties of nonstoichiometric compound terbium dioxide (Tb4O7) ceramics were investigated. Results included a reduction in the sintering temperature to 1,100 °C, a grain size of 4.2 μm, and a density of 96.2 %, which are larger than the values in previous investigation for Tb4O7 ceramics (grain sizes between 0.4 and 1.0 µm). Among the sintered ceramics, the sample doped with 10.0 wt% CuO showed the maximum nonlinear coefficient α = 43.5, which is obviously greater than α = 3.03 of the pure sample. Doping with 10.0 wt% CuO also exhibited nonlinearity α = 2.14 even at 1,123 K. In addition, the impedance spectra of the sample doped with 5.0 mol% CuO showed the largest grain boundary semicircle; 0 and 20 % samples showed both inductive and capacitive reactance.

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