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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Microwave Characteristics of SiC IMPATT Diodes at 220 GHz

verfasst von : S R Pattanaik, J Pradhan, S K Swain, G N Dash

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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The microwave characteristics of SiC IMPATT diodes at 220 GHz are simulated in this paper. In our simulation study, we have considered both the SDR and DDR structures of IMPATT diode based on 4H-SiC and 6H-SiC materials. The simulation of these diodes reveals that 4H-SiC is a promising material for IMPATT applications based on DDR structure with a minimum noise measure as compare to 6H-SiC semiconductor. It is also interesting to note that n-type 4H-SiC SDR IMPATT diode outperforms the other SDR IMPATT diodes in terms of noise measure.

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Metadaten
Titel
Microwave Characteristics of SiC IMPATT Diodes at 220 GHz
verfasst von
S R Pattanaik
J Pradhan
S K Swain
G N Dash
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_69