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01.03.2015 | Ausgabe 3/2015

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2015

Microwave dielectric properties of BaY2(MoO4)4 ceramic with low sintering temperature

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 3/2015
Autoren:
Wen-Bo Li, Hai-Hong Xi, Di Zhou

Abstract

A low firing microwave dielectric ceramic BaY2(MoO4)4 with monoclinic phase was prepared by using solid state reaction method. Microstructure and microwave dielectric properties of the ceramic were investigated. Optimized microwave dielectric properties were obtained in the ceramic sintered at 925 °C for 2 h with a relative permittivity ~11.5, a Q × f value about 47,200 GHz (at 10.3 GHz) and a temperature coefficient of resonant frequency of −35 ppm/°C. Furthermore, 0.5BaY2(MoO4)4–0.5TiO2 ceramic sintered at 970 °C for 2 h with a relative permittivity ~13.6, a Q × f value about 30,800 GHz (at 9.6 GHz) and a near zero τf value of +0.8 ppm/°C.

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